Компанія Samsung сьогодні офіційно представила пам’ять UFS 2.1 обсягом 1 Тб. Після представлення новинки вже більш реальними звучать чутки про те, що вона буде використовуватися в топовій версії смартфона Samsung Galaxy S10+.

Модуль eUFS об’ємом 1 Тб має габарити попередника об’ємом 512 Гб — 11,5×13 мм. Він складається з фірмового контролера, «розробленого заново», і 16 шарів флеш-пам’яті V-NAND щільністю 512 Гбіт.

Швидкості послідовного читання і запису накопичувача складають 1000 і 260 Мб/с відповідно, продуктивність при випадковому читанні та запису — 58 000 і 50 000 IOPS відповідно. Кожен з цих параметрів більший, ніж у версії eUFS об’ємом 512 Гб, що легко пояснюється доопрацюванням контролера.

Samsung вже приступила до масового виробництва eUFS об’ємом 1 Тб, в першій половині року планується наростити обсяги випуску цих модулів пам’яті на фабриці Пхентхек (Pyeongtaek) в Південній Кореї.