TSMC, Intel і Samsung планують перейти до виробництва чипів за літографічними нормами менше 2 нм у найближчі роки. Про це повідомляє Nikkei Asia.

Однак представники галузі стверджують, що такий стрибок потребує значних інновацій у витратних матеріалах та хімікатах для виробництва напівпровідникових компонентів.

За словами технічного директора Entegris, Джеймса О’Ніла, наразі саме інновації в області матеріалів визначають можливість освоєння більш «тонких» техпроцесів, зокрема, використання передових матеріалів і розчинів для обробки кремнієвих пластин.

Генеральний директор Merck, Кай Бекманн, підтримав цю думку, вказавши, що матеріали стали визначальним елементом розвитку галузі протягом останніх десятиліть.

Навіть у сегменті мікросхем пам’яті, таких як твердотільна пам’ять 3D NAND, з використанням понад 230 шарів у масовому виробництві, матеріали стають критичним чинником зростання продуктивності.

Одним із викликів у виробництві чипів є робота з хімікатами у процесі нанесення тривимірної структури транзисторів. Технічний директор Entegris порівняв цей процес із розпиленням фарби на будівлі, де хімікати нового покоління мають забезпечувати високу точність обробки кремнієвих елементів на атомарному рівні.

Зменшення розмірів чипів також викликає пошук нових матеріалів, наприклад, заміну міді на молібден. Це вимагає інвестицій у дослідження та розробку, що робить важким конкурування для нових учасників на ринку.

Источник: speka.media