Команда университета Ланкастера (Великобритания) смогла решить проблему создания быстрой и долговечной энергонезависимой памяти, используя квантово-механический эффект резонансного туннелирования, который позволяет барьеру превращаться из непрозрачного в прозрачный при приложении небольшого электрического напряжения.

Их новое, патентуемое ОЗУ под названием ULTRARAM — это действующая реализация так называемой «универсальной памяти», совмещающей взаимодополняющие преимущества DRAM и флэш-памяти и лишённой их недостатков.

В своей последней работе, опубликованной в IEEE Transactions on Electron Devices, британские исследователи рассказали, что впервые интегрировали устройства ULTRARAM в четырёхбитгые (2×2) массивы на подложке из арсенида галлия. Это позволило им экспериментально апробировать новую архитектуру памяти, которая составит основу будущих чипов памяти ULTRARAM.

Авторы внесли модификации в конструкцию устройства, что позволило в полной мере использовать физику резонансного туннелирования. В результате этого новые чипы смогли продемонстрировать рост быстродействия в 2000 раз по сравнению с первыми прототипами. Они также по меньшей мере на порядок превосходят коммерческую флэш-память по устойчивости к циклическому программированию/стиранию.

Источник: ko.com.ua