IBM и Samsung разработали новый подход к выпуску микросхем. Он позволит повысить вычислительную мощность микросхем вдвое и понизить расход энергии на 85%, сообщает «ЛІГА.net».

Технология, разработанная IBM и Samsung, названа Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), что переводится с английского как вертикальные транспортные полевые транзисторы. С ее помощью можно производить более компактные микросхемы за счет того, что транзисторы в них размещаются не так, как принято сейчас — рядом друг с другом (технология FinFET), а вертикально.

Главное преимущество VTFET перед FinFET заключается в возможности производить микросхемы с большим количеством транзисторов, не увеличивая размер чипов. Разработчики уверяют, что батареи для мобильных телефонов, созданные на основе VTFET, смогут работать не днями, а неделями. Польза от внедрения VTFET будет ощутима и для другой техники, включая коммуникации и транспорт.

Компания IBM создала первые образцы микросхем VTFET на основе двухнанометрового процессора. В чипе размером с ноготь поместилось 50 млрд транзисторов. Пока эта технология совершенствуется, а первые образцы проходят испытание. Сейчас неизвестно, когда начнется серийный выпуск устройств. IBM уверяет, что разработка VTFET— это большой шаг вперед к созданию транзисторов следующего поколения, которые позволят производить более мощные и энергоэффективные устройства в ближайшие годы.